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3DD175(3DD176)NPN硅低頻大功率晶體管
特點 產品采用三重擴散工藝，抗燒毀能力強，二次擊穿耐量高，溫度穩定性好，抗熱疲勞能力強
應用范圍 低速開關，低頻功率放大，電源調整
試用溫度范圍 -55 ---+175℃
質量等級 國軍標JP
執行標準 GJB33-97
極限參數
項 目 |
符 號 |
測試條件 |
規 格 |
單位 |
|||||
A |
B |
C |
D |
E |
F |
||||
集電極-發射極電壓 |
VCEO |
50 |
100 |
150 |
200 |
250 |
300 |
V |
|
集電極-基極電壓 |
VCBO |
5 |
V |
||||||
最大集電極電流 |
ICM |
30 |
A |
||||||
最大集電極耗散功率 |
PCM |
300 |
W |
||||||
最高結溫 |
Tjm |
TC≤75℃ |
175 |
℃ |
|||||
存儲溫度 |
Tjstg |
-55---+175 |
℃ |
||||||
hFE色標
顏色 |
紅 |
橙 |
黃 |
綠 |
藍 |
紫 |
hFE |
15-25 |
25-40 |
40-55 |
55-80 |
80-120 |
120-180 |
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